发布时间:2022-12-14 12:00来源:www.51edu.com作者:畅畅
逆变电焊机和直流电焊机最大的区别是输出电流的方式不同。
1、直流焊机好交流焊机型号是BX开头,内部结构就是一个超大型的工频变压器。属于国家强制淘汰的高耗能产品。直流焊机型号一般为ZX 开头,常有的有ZX5 和ZX7.目前主流的直流焊机是ZX7逆变式直流焊机。
2、逆变式弧焊电源,又称弧焊逆变器,是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频(50Hz)交流网路电压,先经输入整流器整流和滤波,变成直流,再通过大功率开关电子元件(晶闸管SCR、晶体管GTR、场效应管MOSFET或IGBT)的交替开关作用,逆变成几kHz~几十kHz的中频交流电压,同时经变压器降至适合于焊接的几十V电压,后再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。
3、逆变焊机焊接效果好,主要区别在于重量方面,重量是交流焊机的三分之一甚至更轻,移动方便,适合时代的需要。在焊接的时候,逆变焊机有热引弧功能,起弧更方便、而且交流焊机的耗电量比直流焊机的要大得多,因此省电更是直流焊机的一大特色。
先将直流电变为大小随时间变化的脉冲交流电,经隔直系统去掉直流分量,保留交变分量,再通过变换系统(升压或降压)变换,整形及稳压,就得到了符合需要的交流电。利用振荡电路产生一定频率的脉动的直流电流,再用变压器将这个电流转换为需要的交流电压。
IGBT其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间。
可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS
截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。
IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极―发射极间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。
扩展资料
一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃
,常湿的规定在45~75%左右。
在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。
IGBT的过流保护可分为两种情况:
(1)驱动电路中无保护功能;
(2)驱动电路中设有保护功能。
对于第一种情况,可以在主电路中要设置过流检测器件;针对第二种情况,由于不同型号的混合驱动模块,其输出能力、开关速度与du/dt的承受能力不同,使用时要根据实际情况恰当选用。
对于大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护则可以通过封锁驱动信号或者减小栅压来进行保护。
参考资料来源:百度百科-IGBT
逆变器维修
呵呵 你这个问题问的 你还是自己查查相关资料 自己好好理解一下。大概的原理就是控制IGBT开通关断来达到你变成交流的目的的
建议查百度IGBT参数及工作原理,要自己理解为好
1)首先明确直流电和交流电的定义:
电流方向一定的是直流电;电流方向交变的是交流电。
2)用直流电路逆变为单相交流电路为例:将全桥整流电路的4个二极管换为4个IGBT,区别在于IGBT的导通可以通过控制其基极实现。假如4个IGBT从上到下,从左到右的排列顺序为V1,V2,V3,V4;其中V1、V2串联,V3、V4串联,V1和V2与V3和V4并联,V1和V3集电极接直流正,V2和V4发射极接直流负,那么设置4个IGBT的导通顺序为;V1、V4同时导通,V2、V3同时关闭----》V2、V3同时导通,V1、V4同时关闭----》V1、V4同时导通,V2、V3同时关闭。。。。如此反复下去,即可实现直流逆变为交流的过程。
IGBT单管焊机的驱动电压一般是2~3V,但是都不会超过18V。驱动必须使用交流电流。
IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。
由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2~3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
IGBT 的转移特性与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。
在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。
扩展资料
IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:
在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。
应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。此外,在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
在栅极―发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
参考资料来源:百度百科―IGBT
这个一般由驱动电路电压确定,但是都不会超过18V。因它工作时是处于高速开关状态,所以直流是绝对不行的,但也不是正弦交流。而是一种高频方波脉冲,可以是几十到几百K的速度。
驱动直流电压的范围是13V~18V,但是不同品牌的IGBT的驱动电压会有些误差,根据具体需要设置吧。
根据不同型号,工作电压有220V和380V,交流。
这个应该属于正常的
是vrd功能
只有焊接的时候才是真实电压,现在的27付是假输出可以这么理解,为什么设置者共功能的
因为正常的电压时70左右有时候在高空
换焊条啥的
有电到人
出事故的
所以27付是不会有这现象的
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