发布时间:2023-02-27 12:00来源:www.51edu.com作者:畅畅
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1、 sram 里面的单位是若干个开关组成一个触发器, 形成可以稳定存储 0, 1 信号, 同时可以通过时序和输入信号改变存储的值。
2、dram, 主要是根据电容上的电量, 电量大时, 电压高表示1, 反之表示0
芯片就是有大量的这些单元组成的, 所以能存储数据。
所谓程序其实就是数据. 电路从存储芯片读数据进来, 根据电路的时序还有电路的逻辑运算, 可以修改其他存储单元的数据
原发布者:王立伟24
第三章场效应管放大器3.1场效应管绝缘栅场效应管结型场效应管3.2场效应管放大电路效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路3.1场效应管BJT是一种电流控制元件(iB~iC),工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。场效应管(FieldEffectTransistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS~iD),工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型器件。FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入电阻极高等优点,得到了广泛应用。绝缘栅场效应管增强型耗尽型FET分类:结型场效应管N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道一.绝缘栅场效应管绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductorFET),简称MOSFET。分为:g漏极d源极s栅极增强型N沟道、P沟道耗尽型N沟道、P沟道1.N沟道增强型MOS管(1)结构4个电极:漏极D,源极S,栅极G和衬底B。gN+N+P衬底-ds衬底b-符号:b(2)工作原理①栅源电压uGS的控制作用当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在d、s之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。当uGS>0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。再增加uGS→纵向电场↑-s-sVDDVDDVGGg-g--ddid二氧化硅二氧化硅→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道,如果此时加有漏源电压,就
这种芯片也是开关电源控制芯片,内部结构依然是PWM控制
但是这种芯片与一半常用的开关电源芯片相比有以下几个明显的不同点
1.芯片输入电压范围宽,一般芯片在10-30V左右,这个4-60V
2,整机输入电压范围低,一般电源整机输入电压范围在100-400V都是可以的,这个芯片做的整机输入电压范围同样在4-60V
3,输入输出不隔离,一般开关电源输入输出端是隔离的,这个芯片做出来的电源输入输出是不隔离的,也就是有个共同的地
4,驱动不一样,一般开关电源的芯片输出驱动是驱动N型MOS管子,这个输出是驱动P型MOS管
5,输入电压性质不一样,一般开关电源设计是适应市电交流输入,这个芯片设计是适应直流电源输入,这也是这个芯片叫DC-DC芯片的来由,当然如果这个芯片全面加整流桥和电容滤波变成直流再来供给电源,也是可以的,但是要注意输入电压范围了,最大60V的直流输入范围,等效成交流就是42V,这样在交流42V输入而且不隔离的开关电源在实用上是没太大意义的,
你好!!
你的这个电路是一个电平转换电路;
红圈地方是TTL电平输入输出,篮圈部分是标准的232电平输入输出,中间的转换电路
先看开关电源的书,看完了看IC的datasheet和app note
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