发布时间:2023-05-01 12:00来源:www.51edu.com作者:畅畅
变频器上桥臂IGBT驱动电源要由三个单独的直流丛袜橘电源供电,主要是为了提渗团高IGBT的可靠性和使用寿命。
IGBT是一种可控硅晶体管,它具有高效率、高可靠性、高功率密度等优点,是变频器上桥臂的主要元件。IGBT的正常工作需好启要三个单独的直流电源,分别是控制电源、驱动电源和漏电源。
控制电源是IGBT的控制电源,它的电
原理很简单,因为变频器的如桥掘电源是变压过来的,初级线圈只有一个,而且各个电压等级的次级线圈也只有一渣核个,如次级电压为24V、15(18)V(-15V、-18V)、12V、5(6)V等。注意,每个电压等级的次级圈只有一个。所不同的是,“三个单独的直流电源供电”应理解为每个电压消谈接出的供电接点分别采用了单独的分压电阻,而另一路电压接出点只是由一个分压电组连接,送往另外三个桥臂供电的。
变频器上桥臂隐辩IGBT驱动电源需要三个单独的直流槐灶电源供电,是因为IGBT驱动电路需要三个不同的电压,分别为驱动电源电压、控制电源电压和控制电源电压,这三个电压灶明缺必须由三个单独的直流电源供电,以保证IGBT驱动电路的正常工作。
驱动电压:最小3.5V,一般5.5V,最大7.5V。驱动电流:±100nA
IGBT的工作原理是是通过加正栅电压形成沟道,作用是为PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。
IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以仿并慧上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
工作特性:
1、静态特性
IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性,IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似,也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。
2、动态特性
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分,一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分备答时间,另一个是开关过程中的损耗。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之蔽枝间的关系,IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。
以上内容参考:百度百科―IGBT
用IGBT做成一个桥臂,全桥的就行了,也就是上下个一个IGBT从中点引出电压。
你可以顺着风扇电源线往上查。有部分的焊机有风扇停转保护功能,如果风扇烧毁或者断线,焊弯脊灶机就进行保护,封锁输出。
建议你先查查风扇,如果风扇断野绝线了,埋扮就先换个风扇试一下。
是驱动电路有故障,这种情况下千万别通电试机,一上电就烧管子。
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