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九阳电炖锅电源电路可控硅的型号?

发布时间:2023-05-11 12:00来源:www.51edu.com作者:畅畅

一、九阳电炖锅电源电路可控硅的型号?

优派克eupec t系列可控硅、d系列二极管、dxs系列快速二极管 

东芝toshiba sf系列可控硅、sg系列gto 

西门康semikron skt系列可控硅,skn、skr系列二极管,sknxf、skrxf系列快速二极管 

西码westcode n系列相控可控硅、r系列快速可控硅、sm系列快速二极管、sw系列普通二极管 

美国ir st系列可控硅、sd系列二极管 

意大利poseico at系列相控可控硅 

瑞士abb 5stp可控硅、5sdd二极管、5sga系列gto、5sdf快速二极管 

二、可控硅电源有什么优点?

可控硅调压电源的最大优点是体积小、功率大、电压可调范围大、价格低廉、工作比较稳定、重量轻等优点。

可控硅电源是通过可控盯槐硅导通角不侍则袭同来老兄解决电源的电压和电流关系的电源,工作在开关状态,其最大特点就是能源损失低变换效率高。

可控硅直流电源触发电路简单,输出电压高,电流调整范炜怼L寤。鄹竦土

可控硅电源的优点是。线路简单。反应快延迟性小。性价比高。

可控硅电源作为目前zui实宴锋闭用的电源类型,可控硅电源具有较多应用优势和特点。可控硅电源晌裂采用的串联谐振,即电压型谐振频率跟踪。因此效基稿率较高、功率因数较高。

三、xk一50可控硅电源能控制电加热管吗

可控制。耐前枣xk一50可控硅电源在进行使用的时候是能控制电加热管的防止爆炸。可控硅电源采用的串昌拆联谐振,即电压型谐振频率跟踪,因此效率较高、功率因数较高悔碰,所以有明显的节电效果。

四、高频电源和可控硅电源的区别是什么

高频电源类似于开关电源,其特点是工作频率较高,因此变压器的体积和重量都比较小,唤耐布可控硅电源多属于低频(即50或60Hz工频),变握链姿压器段绝的体积和重量都比较大

可控硅的导通洞嫌速度液竖比较慢,属于低速器件

高频器件,导通之后,结压降比可控硅更低,也就是消耗的能纳埋手量也更低.

五、用隔离电源可控硅需要过零吗?

在使用隔离电源控制可控硅时,通常需要考虑过零。过零是指交流电压信号通过0的瞬间。在交流电路中,电压会周期性地从正值到达负值,而过零点是电压变化的一个重要时刻。

对于可控硅的控制,一般使用触发脉冲来控制电路中的开孙搭关行为。为了确保开关时刻与过零点相对应,可以使用零点检测电路来检测交流电压的过零点,并在过零点时触发可控硅的控制信号。逗凯升这可以有效地避免可控硅在高电压状态下被触发,从而提高系统的效率和可靠性。

因此,虽山老然使用隔离电源可以避免电源与负载之间的电气接地,但在控制可控硅时,仍需要考虑过零点,并相应地设计控制电路。

六、如何驱动双向可控硅使其控制电源通断

      双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管,在单片机控制系统中,可作为功率驱动器件,由于双向可控硅没有反向耐压问题,控制电路简单,因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且连接在强电网络中,其触发电路的抗干扰问题很重要,通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰,交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。由于采用过零触发,因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。

1 过零检测电路

电路设计如图1 所示,为了提高效率,使触发脉冲与交流电压同步,要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V ,脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器,TPL521 - 2 为光电耦合器,起隔离作用。当正弦交流电压接近零时,光电耦合器的两个发光二极管截止,三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通,产生负脉冲信号,T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚,以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间,然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

2 过零触发电路

电路如图3 所示,图中MOC3061 为光掘消电耦合双向可控硅驱动器,也属于光电耦合器的一种,用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用,R6 为触发限流电阻,R7 为BCR 门极电阻,防止误触发,提高抗干扰能力。当单片机80C51 的P1. 0 引脚输出负脉冲信号时T2 导通,MOC3061 导通,触发BCR 导通,接通交流负载。另外,若双向可控硅接感流负载时,由于电源电压超前负载电流一个相位角,因此,当负载电流为零时,电源电压为反向电压,加上感性负载自感电动势el 作用,使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通,但容易击穿,故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路,实现双向可控硅过电压保护,图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。

原理简介:

       1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于闷岩是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正判罩知向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。

       2,由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,条件如下:

A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位,2、控制极有足够的正向电压和电流,两者缺一不可。

B、维持导通1、阳极电位高于阴极电位,2、阳极电流大于维持电流,两者缺一不可。

C、从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位,2、阳极电流小于维持电流,任一条件即可。

按你的要求是实现不了的,但可实现半边控制,简单的办法是,5V电源型大串一派首个电阻到控制极,电源的地到阴极,就可以了,同样用另一个5V电源控制另半边(声明如下:5V电源要电隔离,并绝对不能用身体暴露部位触碰以免触电已提醒用户,出现人身事故本人概不负责)。

再一个是用5V电源串一电阻驱动一个3081光耦,再接可控硅,或只买一个固态继电卜羡竖器就行了。

可以的!在5V电源+端串联一个100欧电阻限流接到触发极G,零端接到TI极(靠近G极的那个极凳槐,单向管叫阴接),双向可控硅就一个触发极G,这样只要这个5V电源为高电平时,双向可控硅T1,T2极就可以导通,0V时截止,而且电流是双向的,森察完全可以达到您的要求。

你这里有可控硅和双向可控硅两种提法,不知就是同一个双向可控硅还是一个双向可控硅和另一个可控硅(应该是单向),如果此粗茄是前者,我的回答是对的,电路也方便。如果是后者就不这么简单,电路要复杂些,但为什么要用可控硅和双向可控硅转来转去呢?就一个双向可控硅肯定是可以的.

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