发布时间:2021-07-16 12:00来源:www.51edu.com作者:畅畅
在半导体行业,所谓工艺极限是特定而相对的,特定指的是7nm极限是在半导体FinFET工艺下的物理极限;而相对的意思是每次遇到瓶颈的时候,工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。
10年前我们遇到了65nm的工艺极限,工业界引入了HKMG,用High-K介质取代了二氧化硅。
5年前我们遇到了22nm的工艺极限,工业界发明了FinFET和FD-SOI,前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力,后者用氧化埋层来减小漏电。
现在7nm是新的工艺极限,工业界使用了砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。
当然这里面的代价也是惊人的,每一代工艺的复杂性和成本都在上升,现在还能够支持最先进工艺制造的厂商已经只剩下Intel、台积电、三星和GlobalFoundries了。
至于7nm以下,就要依赖极紫外(EUV)光刻机了。
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