有限双极性和移相全桥的区别

一、有限双极性和移相全桥的区别

有限双极性源效应好，移相全桥效率高。

有限双极性电源具有响应速度快，保护迅速，源效应和负载效应好等功能。

移相全桥在实际工作应用中，具有高效率、高稳定性的优势，且能够适应不同工作环境的复杂要求。

二、ttl电路和cmos电路的区别

TTL与CMOS电路的区别

TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快（数ns），功耗大（mA级），负载力大，不用端多数不用处理。

CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载力小，不用端必须处理。

CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。

CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入时互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。

TTL：由于它的输入多射击晶体管的结构，决定了转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降，大约为 1.4V。TTL 电源只有 5V的，而且输入电流的方向是向外的！

CMOS 电路应用最广，具有输入阻抗高、扇出能力强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰能力强、温度稳定性好等特点，但多数工作速度低于 TTL 电路。

如果是 TTL 驱动 CMOS，要考虑电平的接口。TTL 可直接驱动 74HCT 型的 CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。

如果是 CMOS 驱动 TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT 型 CMOS 可直接驱动 74/74LS 型 TTL，除此需要电平转换。

由于 CMOS 的输入阻抗都比较大，一般比较容易捕捉到干扰脉冲，所以 NC 的脚尽量要接个上拉电阻，而且 CMOS 具有电流闩锁效应，容易烧掉 IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。

CMOS :H 5V L 0V,TTL H:4.3V左右,L 0.4V ;

TTL 双极器件、电源电压5V、速度快数ns、功耗大mA级、负载力大，负载以mA计，不用端多半可不做处理。

CMOS 单级器件、电源电压可到15V、速度慢几百nS，功耗低省电uA级、负载力小以容性负载计，不用端必须处理。

设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片，对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列。

通常用74HCXXX系列的可兼顾速度和功耗。是一种改进型的CMOS技术。

CMOS 和 TTL 电平的主要区别是输入转换电平. CMOS 的转换电平是电源电压的 1/2, 从 4000 系列的电源电压最高可达 18V, 到 74HC 的 5V, 以至 3.3V 和将来的 2.5V, 1.8V, 0.8V 等等. 这是因为 CMOS 的输入是互补的, 保证转换电平是电源电压的 1/2. TTL 由于其输入多射极晶体管的结构所决定, 转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降, 大约是 1.4V 左右. TTL 电源只有 5V 的, 而且输入的电流方向是向外的.

三、VDD、VCC、VSS的区别？

1、Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数。

2、VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；

VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压（接电源）；

VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压(接地）；

3、Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压。

Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上。

Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地。

4、VDD：电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电 路）；漏极电压（场效应管）

VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier)

VSS:：地或电源负极

扩展资料

1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。

2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能，这个时候Vdd仅仅是给器件内部的数字或模拟系统供电，而Vcc是给包括外设和内部系统供电，所以Vcc的电压必须比Vdd高。

3、在场效应管（或CMOS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。

4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源

参考资料：百度百科-VDD