既然三极管可以作为开关电源的开关，那么为什么还要用mos管？

一、既然三极管可以作为开关电源的开关，那么为什么还要用mos管？

既然三极管可以作为开关电源的开关，那么为什么还要用mos管？

1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。

2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。

3.MOS管的温度特性要比三极管好。

MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小，用MOS管做电源驱动时，只需要一个驱动电压信号即可，就可以控制很大的电源电流了（几拆郑罩安培到几十安培），控制很方便，如果用三极管，需要几级推动电路，将控制电流逐步加大，也就是多级放大，常见的方式是达林顿电路，这旅闹样在设计电路时就很繁琐了，调试也费劲。

三极管（BJT）是电流控制器件，MOS是电压控制器件，三极管需要较大的控制电流，很多时候需要逐级放大，而MOS管的栅极电流极小，几乎可以忽略，再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低，所以耗散功率小，效率也更高，所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。

不过MOS管并不是没有缺点的，由于MOS管的栅电容的天然缺点，会影响它的开关速度，同样用途的丛搏管子，一般BJT要比MOS的速度更快。

另外MOS管的输入阻抗接近无穷，所以最大程度的分压，用作开关静态时，漏电小，功耗小。

当然，这里面还有个成本问题，相对来说，三极管是最便宜的，mos管次之，IGBT就贵很多了。补充说明：实际的应用中大功率的三极管也是有的！最后，我想说，其实这些“开关”本无好坏之分，够用就好！

MOS是电压控制器件，三极管需要游戚基较大的控制电流，很多神谨时候需要逐级放大，而MOS管的栅极电流极小，几乎可以忽略，再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低，所以耗散功率小，效率也更高，所以一仔启般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。

因为mos管便宜，而且三极管不是什么时候都能作为开关电源的

因为三极管的制作成本太高了，而mos不仅可以实现三极管的功能，还很便宜。

因为三极管会有一些地方用不到，而且它的成本也比较高，不如用mos管。

二、请问一下，做开关电源，选择MOS管的时候主要考虑哪些参数？谢谢！

能承受的最大关断电压（留一定阈值），关断与开通损耗，能承受的最大温升枣碰（考虑整亮凯体散热）。

1，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。

2，还有一种方法就敬岩唤是给定一个温差，然推出Rds。

不知道是否回答你的问题，你可以去看一下开关电源相关资料 就知道啦！

MOS的耐压慧搜和经过MOS的电流，然后就埋碧滑是内阻弯腊和散热啦

反应到电源就是最大工作电压和最大输出功率

耐压 额定电流值，还有一定要注意管子的功耗 散热功率一定要够 不然也会烧坏~~~

导通电阻，栅极电荷，击穿电压，封装大小（与散热有关）

三、开关电源的高频变压器的频率是由什么决定的？是驱动IC还是MOS管或者还是什么其他东西决定的？

一般是由IC决定的，这种小功率的产品大部分做的是定频，有薯伍的可以外部芹手饥设定，但主要还是驱动决定。

当然自激式的电路除外，因为它不用IC的。

20W以内的采用50k-100k都是可以的了。先确嫌返定用什么芯片，然后根据芯片资料做就好了

通常是你电路使用的驱动电路来决定的。至于具体数据，可以参照IC设计资料通睁碧过设计设定，通常旦早搜情况下，这样小功率的开关电源并不特别关注开关频率。一模历般的32-120kHz都是可以接受的。当然，频率的高低还设计到开关管、变压器芯、线圈等参数，所以，通常头采用小功率驱动IC的典型频率设计。

一般是由IC决定

现在一般的IC都可以通过外围参数设置频率

有的扒并IC是固定频率的

你这种功率的开关电源200K左右的开关频率中此穗都可卖卜以

由IC或其外围定时电阻电容决定。

先确定用什么芯片，然后根据芯片资料做就好了，上soiseek可以查到很多芯片资料

四、开关电源烧mos原因？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏