两个12伏开关电源可并列运行吗？

一、两个12伏开关电源可并列运行吗？

不能，首先要知道双电源是不同极性的两个电源，就是说一个电源是正极作电源，负极接地，另一个电源是负极作电源，正极接地，并且还要是总电源是同一个变压器，这样经过整流开关后的电压电流尽可能一致，才会保证电路正常工作，分电源的参数幅度没有过大差异，最大限度的降低负面作用，

二、何为 双向电源？谢谢！！！

双向电源具有双极性电压/电流输出，即可输出正极性或负极性电压，也可吸收或供应电流.。（简单的说就是可以供电也可以耗电，主要用来模拟电池特性）

辉腾DMS大功率高精度可回馈双向智能电源具备输出功能加入模拟电池包充放电的I-V曲线特性，加入电池剩余容量变化、温度等变量去模拟不同材质的电池包的输出特性，用于替代电池做测试使用。

三、双极型集成电路的特点和原理

双极型集成电路的制造工艺，是在平面工艺基础上发展起来的。与制造单个双极型晶体管的平面工艺相比，具有若干工艺上的特点。

① 双极型集成电路中各元件之间需要进行电隔离。集成电路的制造，先是把硅片划分成一定数目的相互隔离的隔离区；然后在各隔离区内制作晶体管和电阻等元件。在常规工艺中大多采用PN结隔离，即用反向PN结达到元件之间相互绝缘的目的。除PN结隔离以外，有时也采用介质隔离或两者混合隔离法（见隔离技术）。

② 双极型集成电路中需要增添隐埋层。通常，双极型集成电路中晶体管的集电极，必须从底层向上引出连接点，因而增加了集电极串连电阻，这不利于电路性能。为了减小集电极串连电阻，制作晶体管时在集电极下边先扩散一层隐埋层，为集电极提供电流低阻通道和减小集电极的串联电阻。隐埋层，简称埋层，是隐埋在硅片体内的高掺杂低电阻区。埋层在制作集成电路之前预先“埋置”在晶片体内。其工艺过程是：在 P型硅片上，在预计制作集电极的正下方某一区域里先扩散一层高浓度施主杂质即N+区；而后在其上再外延生长一层N型硅单晶层。于是，N型外延层将N+区隐埋在下面，再在这一外延层上制作晶体管。

③ 双极型集成电路通常采用扩散电阻。电路中按电阻阻值大小选择制备电阻的工艺，大多数是利用晶体管基区P型扩散的同时，制作每方约 150～200欧·厘米的P型扩散电阻。但是，扩散电阻存在阻值误差大、温度系数高和有寄生效应等缺点。除采用扩散电阻外，有时也采用硅单晶体电阻。

④ 双极型集成电路元件间需要互连线，通常为金属铝薄层互连线。单层互连布线时难以避免交叉的位置，必要时可采用浓磷扩散低阻区，简称磷桥连接法。

⑤ 双极型集成电路存在寄生效应。双极型集成电路的纵向NPN晶体管，比分立晶体管多一个P型衬底层和一个PN结。它是三结四层结构。增加的衬底层是所有元件的公共衬底，增加的一个PN结是隔离结（包括衬底结)。双极型集成电路因是三结四层结构而会产生特有的寄生效应：无源寄生效应、扩散电阻的寄生电容和有源寄生效应。隔离电容是集电极N型区与隔离槽或衬底P型区形成的PN结产生的电容。隔离和衬底接最低电位，所以这个电容就是集电极对地的寄生电容。扩散电阻的寄生电容是扩散电阻P型区与集电极外延层N型区产生的PN结电容，也属无源寄生效应。这一PN结电容总是处于反偏置工作状态。有源寄生效应即 PNP寄生晶体管。在电路中，NPN晶体管的基区、集电区（外延层）和衬底构成PNP寄生晶体管。在通常情况下，因PN结隔离，外延层和衬底之间总是反向偏置。只有当电路工作时，NPN管的集电结正偏，寄生PNP管才进入有源区。

四、什么是开关电源的三大损耗

三大损耗：与功率开关有关的损耗、与输出整流器有关的损耗、与滤波电容有关的损耗。

1、与功率开关有关的损耗

功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导通状态时的损耗；开关损耗是出现在功率开关被驱动，进入一个新的工作状态，驱动和开关波形处于过渡过程时的损耗。

2、与输出整流器有关的损耗

在典型的非同步整流器开关电源内部的总损耗中，输出整流器的损耗占据了全部损耗的40％-65％。所以理解这一节非常重要。从图2中可看到与输出整流器有关的波形。

3、与滤波电容有关的损耗

输入输出滤波电容并不是开关电源的主要损耗源，尽管它们对电源的工作寿命影响很大。如果输入电容选择不正确的话，会使得电源工作时达不到它实际应有的高效率。

每个电容器都有与电容相串联的小电阻和电感。等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)是由电容器的结构所导致的寄生元件，它们都会阻碍外部信号加在内部电容上。因此电容器在直流工作时性能最好，但在电源的开关频率下性能会差很多。

扩展资料

附加损耗与所有运行功率电路所需的功能器件有关，这些器件包括与控制IC相关的电路以及反馈电路。相比于电源的其他损耗，这些损耗一般较小，但是可以作些分析看看是否有改进的可能。

首先是启动电路。启动电路从输入电压获得直流电流，使控制IC和驱动电路有足够的能量启动电源。如果这个启动电路不能在电源启动后切断电流，那么电路会有高达3W的持续的损耗，损耗大小取决于输入电压。

第二个主要方面是功率开关驱动电路。如果功率开关用双极型功率晶体管，则基极驱动电流必须大于晶体管集电极e峰值电流除以增益(hFE)。

功率晶体管的典型增益在5-15之间，这意味着如果是10A的峰值电流，就要求0.66～2A的基极电流。基射极之间有0.7V压降，如果基极电流不是从非常接近0.7V的电压取得，则会产生很大的损耗。