什么是双极型三极管

一、什么是双极型三极管

这里“极”指的是载流子，双极型三极管表示的就是在这种三极管中，载流子的种类有两种，是空穴和电子两种载流子参与导电。

像mos器件，载流子就只有一种，不是空穴就是电子，所以这种器件又叫做单极型晶体管

二、Vdd，Vddd，Vcom、Vdda、Vddg、Veeg

VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；

VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；

VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。

二、说明

1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。

2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。

3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。

4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源

另外一种解释：

Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。

Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压.

Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上.

Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地.

Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压.

Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路.

电路中的解释：

单解：

VDD：电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电 路）；漏极电压（场效应管）

VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier)

VSS:：地或电源负极

VEE：负电压供电；场效应管的源极（S）

VPP：编程/擦除电压。

详解：

在电子电路中，VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压：

VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd !

VSS：S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。

有些IC 同时有VCC和VDD， 这种器件带有电压转换功能。

在“场效应”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏极引脚，VSS乃CMOS的源极引脚， 这是元件引脚符号，它没有“VCC”的名称，你的问题包含3个符号，VCC / VDD /VSS， 这显然是电路符号。

三、大功率IBJT为什么能流过几A的电流

是IGBT，流过几A电流的IGBT功率不算大，大的可达上千安培。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

四、Gate to Source和Drain to source是什么意思？

Gate to Source: 栅源电压

Drain to source：漏源电压

区别不太大，主要是掺杂不同，之间还存在沟道，当然MOSFET和三极管还有很多不同，找了些资料，仅供参考如下：

三极管用于功率应用电路中时，有很多局限性，虽然在一些电器中仍

能采用双极型三极管，但是它们的用途实际上被限制到小於10KHZ

的电路，并且在整体效率成为关键参数的技术前沿应用中，它们已

基本全部退出。

BJT是少数载流子器件，而所有少数载流子器件相关的存储电荷问题

限制了最大工作速度，而MOSFET的主要优势是作为多数载流子

器件，不存在少数载流子存储电荷问题，因此，其工作频率要高的

多，MOSFET的开关延迟特性完全是因为寄生电容的充放电。

由於器件在开关状态的持续时间内既有大电流又有高电压，器件工作

速度快，其损耗的能量就较少，仅这一个优势就能弥补高压

MOSFET存在的导通损耗稍高的问题。

双极型三极管受电流驱动，因为增益随集电极电流的增加而大幅度降

低，我们要驱动的电流越大，则我们需要提供的电流也越大，在高

温的情况下会加重，需要更大的电流，这不但使三极管消耗大量的功率，还会使其需要能够快速泵出和吸收电流的相当复杂的基极驱动

电路，相比之下，MOSFET在栅极实际上消耗的电流基本为零，

甚至在1250C的典型栅极电流都小於100nA。一旦寄生电容被充电

，由驱动电路提供的电流就非常低，其驱动电路也极为简单。

MOSFET另外一个优点是不存在二次损坏机制，具有比较宽的SOA，

而由於BJT导通电阻是负温度系数，高温下会流入更多的电流，最

终出现不可逆转的破坏，而MOSFET能够应用于一段短时间内的

大电流和高电压，这就避免了二次击穿对器件超成的破坏，同时，

MOSFET导通电阻具有正的温度系数，比BJT相比，更容易并联使

用。

MOSFET内部寄生的二极管使其在电感负载开关应用中，不需要增加

额外的成本就能起到箝位二极管的作用。