发布时间:2023-08-31 12:00来源:www.51edu.com作者:畅畅
你可以做成充电器睁圆。当有市桥早搏电时,给蓄电池充电,同时给单片机供电。当没有市电时,蓄电池直敏祥接给单片机供电。充电器在蓄电池电能不足时,实行均流充电。当蓄电池电充足时,实行涓流充电。所以不用担心。
中间加个电容过度一下,然后不断切换不就行了。
什么叫“无缝连接”?
什么叫“两块蓄电池交替供电”?
用1个继电器
一、逻辑板上五大电压和阶调查电压的作用
1、VGH: Vgatehigh,是指gate级的高电位,也就是打开gate级的电压。
2、VGL: Vgatelow,是gate级的低电位,也就是关闭gate级的电压,在二阶驱动时此电压有效,在三阶驱动时,此电压只是用来产生Vgoffl;
3、VgoffL: Vgateofflow,是gate级关闭电压中的低电平(使用在三阶驱动中,由VGL经过一个电压转换电路得到)。
4、VgoffH:Vgateoffhigh,是gate级关闭电压中的高电平(在三阶驱动中使用,用来消除下一条gate级关闭时由储存电容(CS ON GATE)造成的电压值改变),它的值基本上可以认为是Vgoffl+Vcom;
有些IC资料上面只提到了VGH和VGL,那是因为,这颗IC只支持二阶驱动,有的IC资料上面VGH、VGL、VGOFFH、VGOFFL都有,那是因为此IC支持二阶和三阶驱动。
VDDG,VEEG为二阶驱动的GATE的开关电平。
5、VCOM:液晶偏转基..
关于Vcc和Vdd的区别
一、解释
VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压;
VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;
VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。
二、说明
1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压。
4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源
另外一种解释:
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压.
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上.
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地.
Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压.
Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路.
电路中的解释:
单解:
VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电 路);漏极电压(场效应管)
VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(Voice Controlled Carrier)
VSS::地或电源负极
VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)
VPP:编程/擦除电压。
详解:
在电子电路中,VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压:
VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压, D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压,在普通的电子电路中,一般Vcc>Vdd !
VSS:S=series 表示公共连接的意思,也就是负极。
有些IC 同时有VCC和VDD, 这种器件带有电压转换功能。
在“场效应”即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极引脚,VSS乃CMOS的源极引脚, 这是元件引脚符号,它没有“VCC”的名称,你的问题包含3个符号,VCC / VDD /VSS, 这显然是电路符号。
逻辑板维修总结(检修思路)
一、外观检查看主芯片电源IC 滤波电容等易损元件是否存在明显烧黑或颜色异常等;
二、测电阻测各供电测试点是否存在短路阻值变小,保险有无开路;
三、测电压测各供电测度点电是否正常(①电源供电Vcc5V/12V,②主芯片3.3V ;2.5V;1.8V,1.2V 等,③VAA14V,VGH20V,VGL-5.5V,④VREF13V,VCOM 6V);
四、测IC 信号线对地阻值LVDS DDR与主芯片之间数据交换是否有不良;
五、检查各连接线排插看屏线与逻辑板、逻辑板与屏之间排插是否存在接触不良
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