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2016-03-16
11.在匀强磁场中置一均匀金属薄片,有一个带电粒子在该磁场中按如图3-15所示轨迹运动.由于粒子穿过金属片时有动能损失,在MN上、下方的轨道半径之比为10∶9,不计粒子的重力及空气的阻力,下列判断中正确的是( )
A.粒子带正电
B.粒子沿abcde方向运动
C.粒子通过上方圆弧比通过下方圆弧时间长
D.粒子恰能穿过金属片10次
解析:选A.依据半径公式可得r=mvBq,则知道r与带电粒子的运动速度成正比.显然半径大的圆周是穿过金属片前的带电粒子的运动轨迹,半径小的圆周是穿过金属片后的带电粒子的运动轨迹,所以粒子沿edcba方向运动.再依据左手定则可知,带电粒子带正电,A对,B错.依据周期公式可知,带电粒子在磁场中的运动周期与运动速度无关,故选项C也是错误的.半径之比为10∶9,即速度之比为10∶9.依据动能定理解得,粒子能穿过金属片的次数为:n=100/19.故D是错误的,本题的正确选项为A.
12.(2009年高考广东单科卷)表面粗糙的斜面固定于地面上,并处于方向垂直纸面向外、强度为B的匀强磁场中.质量为m、带电量为+Q的小滑块从斜面顶端由静止下滑.在滑块下滑的过程中,下列判断正确的是( )
A.滑块受到的摩擦力不变
B.滑块到达地面时的动能与B的大小无关
C.滑块受到的洛伦兹力方向垂直斜面向下
D.B很大时,滑块可能静止于斜面上
解析:选C.由左手定则知C正确.而Ff=μFN=μ(mgcosθ+Bqv)要随速度增加而变大,A错误.若滑块滑到底端已达到匀速运动状态,应有Ff=mgsin θ,可得v=mgBq(sinθμ-cos θ),可看到v随B的增大而减小.若在滑块滑到底端时还处于加速运动状态,则在B越强时,Ff越大,滑块克服阻力做功越多,到达斜面底端的速度越小,B错误.当滑块能静止于斜面上时应有 mgsin θ=μmgcos θ,即μ=tan θ,与B的大小无关,D错误.
二、计算题(本题包括4小题,共40分.解答应写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤,只写出最后答案的不能得分,有数值计算的题,答案中必须明确写出数值和单位)
13.(8分)光滑的平行导轨倾角为θ,处在磁感应强度为B的匀强磁场中,导轨中接入电动势为E、内阻为r的直流电源.电路中有一阻值为R的电阻,其余电阻不计,将质量为m、长度为L的导体棒由静止释放, 求导体棒在释放瞬间的加速度的大小.
解析:受力分析如图所示,导体棒受重力mg、支持力FN和安培力F,由牛顿第二定律:
mgsin θ-Fcos θ=ma①
F=BIL②
I=ER+r③
由①②③式可得
a=gsin θ-BELcos θmR+r.
答案:gsin θ-BELcos θmR+r
14.(10分)(2011年长沙市第一中学高二阶段性考试)如图3-18所示,直线MN上方存在垂直纸面向里、磁感应强度大小为B的匀强磁场,现有一质量为m、带电荷量为+q的粒子在纸面内以某一速度从A点射入,其方向与MN成30°角,A点到MN的距离为d,带电粒子重力不计.
(1)当v满足什么条件时,粒子能回到A点;
(2)粒子在磁场中运动的时间t.
解析:
(1)粒子运动如图所示,由图示的几何关系可知:
r=2dtan 30°=23d
粒子在磁场中的轨道半径为r,则有Bqv=mv2r
联立两式,得v=23dBqm
此时粒子可按图中轨道回到A点.
(2)由图可知,粒子在磁场中运动的圆心角为300°
所以t=300°360°T=562πmBq=5πm3Bq.
答案:(1)v=23dBqm (2)5πm3Bq
15.匀强电场区域和匀强磁场区域是紧邻的且宽度相等均为d,电场方向在纸平面内,而磁场方向垂直纸面向里.一带正电粒子从O点以速度v0沿垂直电场方向进入电场.在电场力的作用下发生偏转,从A点离开电场进入磁场,离开电场时带电粒子在电场方向的偏移量为12d,当粒子从C点穿出磁场时速度方向与进入电场O点时的速度方向一致,不计带电粒子的重力,求:
(1)粒子从C点穿出磁场时的速度v.
(2)电场强度和磁感应强度的比值EB.
解析:(1)粒子在电场中偏转,垂直于电场方向速度v⊥=v0,平行于电场方向速度v∥,因为d=v⊥•t=v0t,12d=v∥2•t,所以v∥=v⊥=v0,所以v=v⊥2+v∥2=2v0,tanθ=v∥v⊥=1.因此θ=45°,即粒子进入磁场时的速度方向与水平方向成45°角斜向右下方.粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动,穿出磁场时速度大小为v=2v0,方向水平向右.
(2)粒子在电场中运动时,v∥=at=qEm•dv0,得E=mv02qd.
在磁场中运动轨迹如图所示.
则R=dsin45°=2d,
又qvB=mv2R,B=mvqR=m2v0q2d=mv0qd,
所以EB=v0.
答案:(1)2v0,方向水平向右 (2)v0
16.(12分)初速度为零的负离子经电势差为U的电场加速后,从离子枪T中水平射出,经过一段路程后进入水平放置的两平行金属板MN和PQ之间,离子所经空间存在着磁感应强度为B的匀强磁场.不考虑重力作用,离子的比荷q/m在什么范围内,离子才能打在金属板上?
解析:在加速过程中,据动能定理有12mv2=qU,由此得离子进入磁场的初速度v= 2qUm.分析离子进入磁场后打到金属板两端的轨迹,如图所示,设半径分别为R1和R2,则离子打到金属板上的条件是R1≤R≤R2,由勾股定理知R12=d2+(R1-d2)2
得R1=54d;
由勾股定理知R22=(2d)2+(R2-d2)2
得R2=174d.
再由R=mvqB及v= 2qUm可得R=1B 2mUq,
所以32U289B2d2≤qm≤32U25B2d2.
答案:32U289B2d2≤qm≤32U25B2d2
高二下册物理第三章磁场训练题就为大家介绍到这里,希望对你有所帮助。
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标签:高二物理试题
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