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2015-01-19
为了改善BFO薄膜的性能，Huang等人引入Nd离子替代部分Bi3+离子，结果表明，当Nd的掺入量小于10%时，BFO的漏电流、铁电性及磁性能均有所改善，主要是由于Nd的引入减小了Fe2+的数量并抑制了氧空位。当Nd掺入15%时，由于掺杂的过量导致BFO出现杂相，BFO性能又有所减弱。
Lee等人发现La的引入可以减少氧空位，稳定八面体结构，从而增强薄膜绝缘性和铁电性能，La替换部分Bi后，薄膜变得更加致密平整，铁电电容器的疲劳特性有了明显改善。
B位离子掺杂
S. K. Singh等人发现部分Mn离子替代部分Fe离子可以有效提高BFO薄膜的致密程度，从而使BFO薄膜的漏电流的崩溃极限电压明显增大，高电场下仍能保持较小的漏电流。由于Mn3+-O-Mn4+的超交换作用，可有效提高薄膜的磁性，但是也有人发现Mn会导致B位的混乱，从而抑制薄膜的磁性能。
降低BFO薄膜的漏电流，提高其磁性能，成为BFO薄膜应用的技术关键。编辑老师为大家整理了多铁BiFeO3薄膜的掺杂改性，希望对大家有所帮助。
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标签：数学
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